Совместимость, взаимозаменяемость и отличия ddr3 от ddr3l

Специфика процесса

Многие IT-специалисты указывают на то, что производители зачастую устанавливают ограничение на возможность искусственного увеличения производительности. Кроме этого, повышение скорости работы ОЗУ зачастую проводится после разгона установленного процессора. Отдельно обе важные составляющие компьютера разгоняются крайне редко, так как их работа отвечает за основные функции. Что касается видеокарты, то ее подвергают разгону и отдельно — все зависит от того, для обработки каких данных проводится увеличение производительности.

Одной из основных характеристик ОЗУ считают объем, который принято измерять в гигабайтах. Однако на производительность оказывает влияние частота работы, пропускная способность и другие характеристики, которые редко указываются в кратком описании компьютера. Под «разгоном» понимают включение особых режимов работы за счет:

Увеличения показателя тактовой частоты. Как правило, этот параметр изменяется при разгоне процесса, что позволяет использовать его всю вычислительную мощность.
Изменения количества таймингов, которые возникают при одном цикле. При уменьшении этого показателя обмен электрическими сигналами будет проходить гораздо чаще, за счет чего повышается пропускная способность установленных планок.

Некоторые IT-специалисты выделяют метод повышения производительности, который связан с изменением показателей электрического напряжения в установленной микросхеме.

Оптимальные методы разгона

При изготовлении микросхемы рассматриваемого типа могут использоваться самые разные архитектуры, в большинстве случаев можно только максимально повысить тактовую частоту или пропускную способность — обе сразу не получится. Некоторые выбирают компромиссное сочетание устанавливаемых настроек.

Среди основных рекомендаций выделим следующие моменты:

При повышении тактовой частоты придется замедлить тайминг, в противном случае компьютер не будет работать стабильно и есть вероятность потери информации.
При ускорении тайминга показатель тактовой частоты рекомендуют оставить на заводском уровне.

Кроме этого, после проведения работы по разгону компьютера можно заметить, что он начинает работать медленнее. Это связано с тем, что не каждый процессор и ОЗУ предназначены для разгона. В некоторых случаях с заводскими настройками они работают куда лучше и стабильнее.

Что следует знать о частоте ОЗУ

Разгон оперативной памяти ddr3 или другого типа многие проводят для увеличения тактовой частоты. Ее показатель определяет, сколько операционных тактов производит установленная микросхема в секунду. С увеличением данного значения микросхема начинает работать быстрее, время между действием пользователя и откликом устройства снижается.

Производители ОЗУ типа DDR указывают два типа тактовой частоты:

Реальная.
Эффективная.

Показатель эффективной, как правило, в два раза больше реальной. Показатель реальной тактовой частоты редко можно встретить в описании оперативной памяти, для ее определения приходится искать подробную спецификацию или использовать программу мониторинга производительности компьютера.

Рабочее напряжение

Все части компьютера работают исключительно под своим напряжением, для некоторых оно может быть переменчивым. Этот момент следует учитывать при рассмотрении процесса разгона. Ранее распространенный тип памяти DDR 2 работает при 1,8 вольта.

На сегодняшний день распространенная память типа DDR 3 при 1,5 вольта. Специалисты утверждают, что эти пороги можно несущественно превысить. Для DDR 2 выставляется значение 2,2 вольта, для DDR 3 показатель составляет 1,65 вольта.

При превышении этих значение микросхема начнет работать неправильно, могут появиться существенные сбои. Кроме этого, IT-специалисты утверждают, что даже самая качественная микросхема от известного производителя может плохо воспринять повышение напряжения. Поэтому если в этом нет особой надобности, то лучше всего оставлять заводские настройки.

SDRAM

SDRAM (Synchronous DRAM) — вид памяти со случайным доступом, работающий на столько быстро, чтобы его можно было синхронизировать с частотой работы процессора, исключая режимы ожидания.

Микросхемы разделены на два блока ячеек так, чтобы во время обращения к биту в одном блоке шла подготовка к обращению к биту в другом блоке.

Если время обращения к первой порции информации составляло 60 нс, все последующие интервалы удалось сократить до 10 нс.Начиная с 1996 года большинство чипсетов Intel стали поддерживать этот вид модулей памяти, сделав его очень популярным вплоть до 2001 года.

SDRAM может работать на частоте 133 МГц, что почти в три раза быстрее, чем FPM и в два раза быстрее EDO.Большинство компьютеров с процессорами Pentium и Celeron, выпущенных в 1999 году использовали именно этот вид памяти.

Как различия оперативной памяти влияют на вас

Мы разбросали много ценностей выше, но не чувствуем себя перегруженными. Обычному пользователю никогда не придется беспокоиться о том, какое поколение ОЗУ покупать. Вы можете просто позволить материнской плате / процессору, который вы хотите приобрести, определять объем оперативной памяти. При создании компьютера сегодня у вас почти наверняка будет установка, использующая оперативную память DDR4.

Вы можете задаться вопросом, как разные поколения RAM влияют на производительность. Для обычного пользователя это не имеет большого значения. DDR4 теоретически быстрее, чем DDR3, но не часто скорость памяти является узким местом в вашей системе.

В большинстве случаев другие обновления улучшат производительность вашего компьютера. улучшат производительность Замена старого жесткого диска на твердотельный накопитель, увеличение общей оперативной памяти или модернизация процессора будет иметь гораздо больший эффект, чем чуть более быстрая оперативная память.

Основной сценарий, где сложности оперативной памяти действительно важны, интенсивно используется, например, на серверах. Эти машины постоянно работают с большими нагрузками, а это означает, что каждый бит производительности жизненно важен. При обычном использовании вам будет трудно почувствовать разницу между двумя системами с одинаковыми характеристиками, за исключением генерации оперативной памяти.

Что дает понижение напряжения?

Последний параметр особенно важен, поскольку он может повлиять на другие характеристики. Происходит это следующим образом:

Потребляемая электроэнергия преобразуется в тепловую;
Микросхемы нагреваются, что отрицательно сказывается на их работе;
Снижается частота, скорость, появляются глюки…

Вот у DDR1 энергопотребление было на уровне 2,5 В, у второго поколения — уже 1,8 Вольт. DDR3 имела рабочее напряжение 1,5 В, а DDR4 аж 1,2 Вольта. Вы посмотрите, какая ожесточенная борьба ведется за каждую десятую вольта. Снижение этой величины стало особенно актуальным с широким распространением компактных и мобильных устройств, требующих большой автономности при работе от аккумуляторов.

Типы динамических ОЗУ

Первоначально и статические и динамические устройства были асинхронными, то есть не требовали для своей работы тактовой частоты. Быстродействие было примерно одинаковым и единственным существенным различием была необходимость регенерации в динамических ОЗУ. Со временем быстродействие транзисторных ключей росло, а быстродействие динамической памяти ограничивалось тем, что заряд и разряд запоминающего конденсатора требует определенного времени. Динамическая память стала отставать от статической.

Разработчикам динамической памяти пришлось пойти на усложнение своих микросхем. Микросхемы динамической памяти получили на кристалле довольно сложную обвязку и устройство управления, для работы которого необходима подача тактовой частоты. Динамические ОЗУ стали синхронными и получили название SDRAM — Synchronous Dynamic RAM.

За счет различных схемотехнических ухищрений эффективное быстродействие SDRAM стало превышать пропускную способность шины памяти и шина стала узким местом. Обычно в синхронных устройствах передача информации происходит по определенному фронту синхроимпульса — переднему (нарастающему) или заднему (спадающему).Появились микросхемы DDR SDRAM, у которых в отличие от обычных SDRAM передача информации по шине осуществляется как по обоим фронтам синхроимпульса. Это позволило увеличить пропускную способность шины памяти вдвое. DDR и означает Double Data Rate, или удвоенную скорость данных.

Технология DDR развивалась и появились новые поколения этих устройств, сначала DDR2, затем DDR3. Последним поколением на сегодняшний день является DDR4, но оно еще не получило широкого распространения и самым распространенным типом остается DDR3 .

Инструменты изменения показателей

Выставить необходимые значения можно при использовании самых различных инструментов. Выделяют два основных метода:

Использование интерфейса БИОСа.
Установка и использование сторонней программы.

Многие специалисты в рассматриваемом вопросе рекомендуют воспользоваться первым методом, так как стороннее ПО может работать некорректно, быть несовместимым с конкретными типами ОЗУ. Кроме этого при использовании БИОСа разгон осуществляется на низком уровне взаимодействии с аппаратными компонентами, за счет чего можно достигнуть лучших результатов.

Среди ключевых нюансов отмечают следующие моменты:

К изменению показателя частоты работы устройства следует относиться с осторожностью, так как правильная корректировка заключается не только во введении одной цифры. Частота зависит от произведения двух основных значений: FSB и BCLK

Получаемое значение принято считать «опорной частотой»
Если будет проводиться изменение только множителя, то увеличить производительность будет невозможно.
Принято уделять внимание особенностям процессора при разгоне модулей ОЗУ, так как этот элемент более важен в системе. Часто наблюдается ситуация, что одинаковые значения тайминга и тактовой частоты при различных процессорах дают разный результат
При этом точные рекомендации сложно найти, производители и вовсе не рекомендуют проводить изменение устанавливаемых настроек.
Результат проведения работы по разгону зачастую непредсказуемый, но увеличить шансы на успех можно при изучении специализированных форумов, где можно найти пример похожего сочетания процессора и планок памяти.

Оперативная память DDR3 и DDR4

Продолжая обсуждение различий в оперативной памяти, как складывается память DDR4? DDR3 был представлен в 2007 году, и хотя он все еще используется с некоторыми более старыми системами сегодня, DDR4 стал стандартом.

DDR4 работает при еще более низком напряжении, чем DDR3, всего на 1,2 В. Он также способен выполнять больше операций в секунду, в диапазоне от 1600 МТ / с до 3200 МТ / с.

Samsung продает одну 32 ГБ оперативную память DDR4, но это довольно дорого. Максимум, который вы видите в дикой природе, обычно составляет 16 ГБ.

Если вы находитесь на рынке, у нас есть руководство по покупке, охватывающее лучшую оперативную память DDR4

G.Skill TridentX Series 16 ГБ (2 x 8 ГБ) DDR3

Самая быстрая палка среди группы
Не уступает Dominator Platinum в разгоне
Блестящие взгляды

Проблема с зазором ОЗУ в высококлассных кулерах
Высокая задержка

Тактовые частоты: 2400 МГц | Задержка: CL10-12-12-31 | RGB / LED: нет

G.Skill является прямым конкурентом Corsair, когда дело касается памяти, и, похоже, они несколько опережают Corsair на платформе DDR4. Для платформы DDR3 дела обстоят в значительной степени в пользу Corsair, но G.Skill также добился аналогичной производительности. Стики серии TridentX намного выше, чем Corsair или любой другой стик, что может привести к проблемам с зазором, если вы используете высокопроизводительный кулер, такой как Noctua NH-D15. Внешний вид клюшек уникален, они имеют стильный дизайн и резкий цвет, красный для этой конкретной палки.

Эта конкретная флешка, серия TridentX, доступна на частоте 2400 МГц по умолчанию, что, конечно, не поддерживается напрямую процессорами 3-го или даже 4-го поколения, и вам потребуется использовать BIOS для достижения такой конфигурации. Некоторые из систем могут не достичь 2400 МГц в конце концов из-за ограничений материнской платы, и в этом случае они будут работать с любой частотой, на которой они будут стабильны. Этот комплект RAM доступен в конфигурации 4 x 4, что неплохо для людей, которые намереваются использовать его в качестве четырехканального RAM для своих систем серии Extreme.

Мы рекомендуем этот комплект ОЗУ, если вам нравится общий вид ОЗУ и у вас нет проблем с зазором, а четырехканальная возможность также будет весьма полезна для владельцев систем HEDT.

B-die, C-die, E…

Интересующиеся темой (про гуру в разгоне я не говорю) наверняка не раз встречали упоминание чипов DRAM Samsung B-die. А у Micron, например, E-die… Это степпинги памяти, которые могут существенно повлиять на скорость работы и разгонные возможности того или иного DIMM.

У меня нет цели углубляться в вопрос оверклокинга RAM. Да и не получится, ибо тема эта неисчерпаема, что подтверждают многостраничные, порой, на сотни и сотни страниц ветки в тематических форумах.

Важно знать, что каждый производитель чипов DRAM (не производитель модулей памяти, а именно чипов) выпускает несколько версий своих микросхем. Отражается это в маркировке степпинга

Так, у Самсунга это A-die, B-die, C-die и прочие. Примерно так же маркируются чипы Micron.

Легендарными среди «гонщиков» являются в первую очередь B-die от Samsung. На изображении выше показана структура микросхемы DDR4 B-die емкостью 8 Гб K4A8G085WD-BCTD производства Samsung. Модули с ними потенциально наиболее гонибельные. Потенциально, потому что нельзя обеспечить абсолютно одинаковые характеристики чипов в разных партиях.

Вполне может попасться модуль, который разгонится, но не дотянет до частот, которые дались знакомому на таком же модуле и на схожей системе. Просто не очень повезло с конкретными чипами. Даже в наборе из двух модулей на B-die оба будут хороши, но один все же окажется чуть хорошее.

В 2019 году планировалось прекращение производства чипов B-die, но произошло ли это в реальности тогда, или произошло позже, или она производится до сих пор – утверждать не стану. В любом случае, если повезло стать обладателем модулей на этих чипах, то хорошая скорость работы, невысокие задержки и разгонный потенциал входят в стоимость.

При оверклокинге речь идет не только о частотах, на которых достигается стабильность работы, но и таймингах, ибо разгон памяти — это не только и не столько гонка за частотой, сколько баланс между оной и задержками.

У других брендов оверклокерскими считаются: E-die у Micron, Hynix C-die CJR. В каких модулях находятся какие чипы из спецификаций не узнать. Ориентироваться надо на обзоры, отзывы владельцев и данные, выдаваемые различными утилитами. Например, подробную информацию о модулях памяти выдает утилита Thaiphoon Burner.

Рейтинг самых лучших DDR4

Сейчас есть из чего выбрать. Итак, вот вам список самых популярных модулей ОЗУ DDR4.

Corsair Dominator Platinum 2x4GB DDR4-3200

Еще один замечательный представитель компании Corsair. Модули ОЗУ Corsair Dominator Platinum имеют суммарную емкость в 8 Гб.

Это ОЗУ используется для материнок Intel 100 Series. Благодаря полной поддержке специальных профилей XMP 2.0 ее можно очень хорошо разогнать, а затем контролировать нагрев устройства посредством специального программного обеспечения. Также здесь есть очень большой запас разгона и мощные радиаторы DHX.

При установке сразу четырех ОЗУ-модулей, эта оперативная память позволяет укомплектовать планки вспомогательным охлаждением. Для этого используется специальный кулер Dominator Airflow Platinum. Как и разгон, управление этими вентиляторами выполняется с помощью специального ПО под названием Corsair Link. Оно позволяет менять любой цвет подсветки и общую скорость его вращения.

Corsair Vengeance LPX 4x8GB DDR4-3600

Это ОЗУ применяется для наибольшего эффекта при обычном разгоне. Поэтому данный комплект наиболее популярен среди оверлокеров. Этот набор сразу из четырех полноценных модулей по 8 Гб может добавить вашему персональному компьютеру до 32 Гб ОЗУ.

Для разгона этого ОЗУ на полную используются особые радиаторы из алюминия и печатная восьмислойная плата, которые отвечают за равномерное распределение всего тепла и его отвод. Заводские испытания планки этого ОЗУ проходят на материнках серии 100 Series.

Corsair Vengeance LPX 2x8GB DDR4-3333

Это почти двойник Corsair Vengeance LPX 4x8GB. Их главное отличие в том, что здесь несколько меньше стандартные тактовые частоты, всего 3333 МГЦ против 3600 МГц. У этого ОЗУ суммарный объем составляет 16 Гб, то есть в два раза меньше, чем у лидера этого списка. Тем не менее это не так уж страшно. Ведь как и он, это ОЗУ используется именно для полного разгона, в частности и процессора компьютера. А также поддерживает все XMP 2.0 профили.

Еще один большой плюс данной оперативки состоит в том, что она отлично подходит для установки в небольшие материнки Mini-ITX. Все это благодаря низкопрофильному дизайну планок.

Kingston HyperX Predator 2x8GB DDR4-3200

Компания Kingston предлагает свой новый продукт под названием HyperX Predator DDR4. Это целый комплект модулей ОЗУ с очень низкой латентностью, достаточно высокой частотой и, как следствие, отличной производительностью. 16 Гб — именно такая общая емкость этого ОЗУ. При этом частота ОЗУ может с легкостью достигать даже невероятных 4000 МГц. Оперативка позволяет себя легко разогнать, а также поддерживает все профили XMP.

Надежность элементной базы и превосходное качество всех планок подтверждает пожизненная официальная гарантия от производителя. Для действенного отвода тепла используются специальные съемные теплоотводники. Причем выглядят они так же брутально, как и у Corsair Dominator Platinum.

Crucial Ballistix Elite 2x4GB DDR4-3200

Данный список лидеров закрывает лучшая оперативная быстрая память ddr4 от фирмы Crucial под названием Ballistix Elite 2x4GB DDR4-3200. Это набор ОЗУ с частотой в 3200 МГц и общей емкостью 8 Гб. Элитные модули ОЗУ здесь украшены очень стильными и красивыми радиаторами, которые сильно напоминают накладку ствола винтовки.

Важно также отметить, что радиатор комплекта здесь модульный. Таким образом если монтажу кулера процессора мешает верхняя часть радиатора, то ее можно легко снять в любой момент

Относительно того, насколько производительной является это ОЗУ, стоит сказать, что Ballistix Elite 2x4GB DDR4-3200 при тестировании на стабильность показала достаточно хороший потенциал для дальнейшего разгона. В результате, эта ОЗУ точно будет интересна оверлокерам.

Особенности и преимущества памяти DDR3L-RS.

Стандарт памяти DDR3L-RS предназначен для мобильных устройств и, представленных сейчас изобилием ультрабуков, смартфонов и планшетных компьютеров. Суффикс RS — Reduced Standby — переводится как «сокращение ожидания», что подразумевает повышение энергоэффективности в режиме ожидания. DDR3L-RS отличается от памяти типа DDR3L пониженным потреблением в режиме регенерации и является также обратно совместимым со стандартом DDR3, так что нет никакой необходимости в замене контроллера, все дополнительные операции происходят в памяти устройства. Ключевой DDR3L-RS особенностью является пониженная потребляемая мощность в режиме регенерации (это представляет интерес именно для мобильных устройств, и в случае настольных систем особого значения не имеет). Дело в том, что именно для ультрабуков экономия в режиме ожидания даже 250 мВт, в сумме обеспечивает большее время работы аккумуляторных батарей. В процессе биннинга вместе с несколькими дополнительными функциями, Micron может сократить в режиме ожидания потребление энергии для системы примерно на 25%. В случае микросхем плотностью 2 Гбит выигрыш достигает 50% по сравнению с памятью DDR3L. Ток саморегенерации IDD6 для памяти DDR3L-RS плотностью 2 Гбит не превышает 3,7 мА. Память DDR3L-RS плотностью 4 Гбит характеризуется таким же показателем энергетической эффективности, но дает возможность уменьшить количество микросхем в составе устройства. При этом показатели надежности остались на том же уровне, что и у обычной памяти DDR3L, а максимальная производительность остаётся на уровне 1600 МТ/с (мегатранзакций в секунду). Для 4-Гбит чипов при токе регенерации 3,7 мА производительность достигает 1866 МТ/с. Суть реализации процесса экономии энергии, если коротко, заключается в следующем. На основе замеров собственной температуры, остывшая в режиме простоя до 45оC память DDR3L-RS снижает интенсивность процессов обновления данных и, в итоге, значение токов IDD6 (self-refresh). Именно за счёт этого происходит экономия энергии при использовании памяти DDR3L-RS. Холодные кристаллы не требуют такого интенсивного цикла регенерации, как горячие, а современный стандарт DDR3 предписывает режим обновления для 85оC, что на практике можно наблюдать далеко не всегда. Еще раз напомним, что выигрыш от использования DDR3L-RS даст заметный эффект лишь в случае мобильных систем. В режиме простоя память DDR3L-RS сэкономит системе до 25% энергии. Правда, в активном режиме память DDR3L-RS будет потреблять столько же, сколько память DDR3

Разница в том, что память DDR3L-RS имеет встроенные механизмы, которые управляют режимом регенерации данных в ячейках, для чего, что важно, внешние контроллеры переделывать не нужно. Micron собирается представить микросхемы памяти типа DDR4-RS, которая будет дешевле LPDDR3, но переход от DDR3 на DDR4 потребует новых контроллеров памяти и они не будут обратно совместимы

Одно из самых больших изменений с DDR4 в том, что стандартное напряжение падает с 1,5 В (DDR3) до 1,2 В, что позволяет обеспечить экономию электроэнергии. DRAM DDR3L-RS на базе 20-нм норм проектирования, благодаря применению передовой 20-нанометровой технологии и эффективному механизму управления энергопотреблением позволяет на 70% уменьшить потребляемую мощность в режиме ожидания по сравнению с получившей в последнее время широкое распространение памятью DDR3L с сохранением присущих ей показателей производительности. Рабочая тактовая частота для новой микросхемы по-прежнему равна 1600 МГц. Как известно, память DDR3L работает при стандартном напряжении питания 1,35В против 1,5В у обычной DDR3 DRAM. Память представлена как в виде отдельных чипов, так и в виде модулей памяти. Они предлагаются как «россыпью» (в виде отдельных микросхем емкостью 2, 4 и 8 Гбит), так и в составе готовых модулей памяти форм-фактора SO-DIMM (Small Outline Dual Inline Memory Module) в версиях на 2, 4 и 8 Гбайт.

Отличия

Форм-фактор у модулей памяти ДДР3 и ДДР3Л один, поэтому визуально разницу вы не заметите. Механически они полностью совместимы. Одинаковы по габаритам, положению ключа и количеству контактов (240).

Механическая совместимость ДДР3 и ДДР3Л

На модулях DDR3, как правило, присутствует маркировка PC3, тогда как на низковольтной памяти ставится PC3L.

Маркировка на модулях оперативной памяти PC3 и PC3L

Кроме того, в некоторых случаях указывается и напряжение питания, 1,5v для ддр3 и 1,35v для ддр3л соответственно.

Для настольных ПК рациональнее использовать простую DDR3, а DDR3L более оптимальна для ноутбуков.

Краткая история RAM

Без оперативной памяти представить компьютер сложно. Да и не нужно. Без этого компонента обойтись нельзя. Все манипуляции с данными производятся в RAM, после чего передаются на накопитель или отправляются в иное устройство. Или наоборот, какая-то инфа извне поступает в компьютер (а именно в RAM), обрабатывается, и передается еще куда-то.

Даже краткое рассмотрение истории развития RAM – тема отдельного материала. И весьма обширного. Остановлюсь на используемом ныне типе оперативной памяти – DDR.

Аббревиатура расшифровывается как удвоенная скорость передачи данных (Double Data Rate). В отличие от предыдущей SDR данные передавались по обоим фронтам тактирующего сигнала. Это позволило вдвое повысить пропускную способность по сравнению с SDR, у которой использовался только фронт тактового сигнала.

Первый коммерческий чип был выпущен в 1998 году компанией Samsung. Спецификацию такой памяти организация JEDEC опубликовала в июне 2000 года, а спустя пару месяцев появилась первая материнская плата с поддержкой DDR. Память работала на частотах от 100 МГц до 200 МГц. Эффективная частота, учитывая использование фронта и спада тактового импульса, составляла от 200 до 400 МГц. Количество контактов разъема равнялось 184. Напряжение питания – 2.5 В.

В 2004 году свет увидело новое поколение, DDR2. За счет улучшений рабочие частоты лежали в диапазоне 200-600 МГц (эффективные – 300-1 200 МГц). Изменился разъем, у которого стало 240 контактов. Напряжение питания снизилось до 1.8 В.

Следующее поколение, DDR3, появившееся в 2007 году, вновь удвоило частоту работы (рабочая от 400 МГц до 1 200 МГц, эффективная – 800-2 400 МГц). Количество контактов не изменилось, но сам разъем несовместим с DDR2. Напряжение снижено до 1.5 В. Позже выпущена модификация с пониженным напряжением питания, равным 1.35 В. Такие модули помечались как DDR3L.

В 2014 году вышло актуальное на сегодняшний день поколение DDR4. Привычно удвоились частоты (800-1 600 МГц рабочая частота и 1 600-3 200 МГц эффективная), изменился разъем, в котором стало 288 контактов. Напряжение питания – 1.2 В.

В конце 2021 или в начале следующего года должна быть представлена память DDR5. Опять удвоится пропускная способность, уменьшится напряжение на 100 мВ, запланированы другие изменения.

Все поколения памяти несовместимы, т. е. установить DIMM одного поколения в разъем для памяти другого поколения физически невозможно.

Указанные разъемы, количество контактов справедливо для десктопного форм-фактора DIMM, но параллельно выпускались и компактные модули для ноутбуков.

Специфика процесса

Увеличения показателя тактовой частоты. Как правило, этот параметр изменяется при разгоне процесса, что позволяет использовать его всю вычислительную мощность.
Изменения количества таймингов, которые возникают при одном цикле. При уменьшении этого показателя обмен электрическими сигналами будет проходить гораздо чаще, за счет чего повышается пропускная способность установленных планок.

Оптимальные методы разгона

Среди основных рекомендаций выделим следующие моменты:

При повышении тактовой частоты придется замедлить тайминг, в противном случае компьютер не будет работать стабильно и есть вероятность потери информации.
При ускорении тайминга показатель тактовой частоты рекомендуют оставить на заводском уровне.

Что следует знать о частоте ОЗУ

Производители ОЗУ типа DDR указывают два типа тактовой частоты:

Рабочее напряжение

Как различить и совместимость

Чтобы верно определить, к какому стандарту относится модуль, нужно знать чем отличается DDR3 от DDR3l. Разберемся в чем разница между DDR3 и DDR3l с точки зрения маркировки.

Из-за одинакового форм-фактора и расположения ключа, можно вставить модуль DDR3 в разъем на материнской плате, рассчитанной на DDR3L, или наоборот. К чему может привести подобная невнимательность?

Если модуль памяти рассчитан на напряжение в 1,5 вольта, а получает только 1,35 вольта, то, весьма вероятно, он будет вести себя нестабильно, становясь причиной регулярных зависаний и внезапных перезагрузок системы. Впрочем, вполне возможна ситуация, когда планка ОЗУ будет нормально работать. Особенно если немного повысить тайминги и снизить частоту, тогда шанс на бесперебойную работу увеличится, пусть и ценой некоторого снижения быстродействия. Но стоит ли рисковать?

Казалось бы, достаточно поднять напряжение, ведь многие материнские платы позволяют это. Да, тогда получится ситуация вполне типичная для разгона, когда для нормальной работы приходится повышать напряжение.

Стоит отметить, что процессоры intel, начиная с поколения Skylake, рассчитаны только на работу с низковольтной DDR3l памятью. По утверждению представителей компании, в долгосрочной перспективе работа процессоров 6 и более поздних поколений архитектуры Core с памятью рассчитанной на напряжение 1,5 вольт, может навредить CPU.

Получается, что заставить работать модуль DDR3 с системной платой и процессором, рассчитанными на DDR3l, во многих случаях можно. Но, в результате всех предпринятых усилий легко получить нестабильно работающий компьютер. Память DDR3 сложно считать универсальным решением для любой конфигурации, чем она также отличается от DDR3l.

Лучшим способом приобрести нужную память, это открыть свой ноутбук, достать модуль памяти и списать его характеристики или взять его в магазин. Так же можно воспользоваться ПО для просмотра аппаратной начинки компа ( типа CPU-Z ) и зайти во вкладку SPD .

Второй вариант — использование модуля, рассчитанного на низкое напряжение, в старой материнской плате, поддерживающей DDR3. Исходя из требований JESD79‐3‐1A.01, документа, в котором регламентирован стандарт DDR3L, любой модуль должен быть обратно совместим со обычным DDR3.

DDR3 или DDR4, что лучше?

Вопрос с подвохом. Вроде бы уже все выяснили, что DDR4 новее, быстрее и экономичнее, а тут такой вопрос. И все же давайте выясним, что лучше?

А подвох тут вот в чем! Если взять, например, DDR3 2400Мгц и DDR4 2400Мгц, то в этой схватке одержит победу….. одержит победу… отгадайте кто?… DDR3! Почему так происходит? В ОЗУ существует такая характеристика как тайминг задержки. Выглядит она примерно так 9-9-9-24 или 9-10-10-24. В общем, чем этот показатель ниже, тем выше скорость оперативной памяти.

И случилось так, что в силу своей архитектуры DDR4 имеет тайминги выше, чем у DDR3. Именно поэтому при одинаковых частотах в тестах DDR4 немножко проигрывает памяти DDR3. Но стоит только взять память DDR4 с частотой 3200 или 4000 Мгц, как вы заметите огромную разницу в пользу DDR4!

Вот теперь и думайте, что лучше DDR3 или DDR4? Все зависит от многих факторов. Например, какую частоту оперативной памяти поддерживает ваша материнская плата, есть ли в ней потенциал для дальнейшего апгрейда системы.